中国上海，2021年2月25日，东芝电子元件和存储公司（“东芝”）今天宣布推出一种新开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片，用于工业应用（具有3300V和800A功能）模块-“ MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。为了达到175°C的通道温度，该产品采用iXPLV（智能软包装低电压）包装，并采用了银烧结内部粘合技术，并具有高绝缘性。
安装兼容性。该模块可以完全满足工业应用中高效，紧凑设备的要求，例如轨道车辆和可再生能源发电系统。
Ø应用·轨道车辆用变频器和变流器·可再生能源发电系统·工业电机控制设备Ø特性·漏极额定电压：VDSS = 3300V·漏极额定电流：ID = 800A双通道·宽通道温度范围：Tch = 175 ℃・低损耗：Eon = 250mJ（典型值）Eoff = 240mJ（典型值）VDS（on）检测= 1.6V（典型值）・低杂散电感：Ls = 12nH（典型值）·小iXPLV封装，高功率密度Ø主要规格。
安装兼容性。该模块可以完全满足工业应用中高效，紧凑设备的要求，例如轨道车辆和可再生能源发电系统。
Ø应用·轨道车辆用变频器和变流器·可再生能源发电系统·工业电机控制设备Ø特性·漏极额定电压：VDSS = 3300V·漏极额定电流：ID = 800A双通道·宽通道温度范围：Tch = 175 ℃・低损耗：Eon = 250mJ（典型值）Eoff = 240mJ（典型值）VDS（on）检测= 1.6V（典型值）・低杂散电感：Ls = 12nH（典型值）·小iXPLV封装，高功率密度Ø主要规格。